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中電??导瘓F(tuán)磁旋存儲芯片生產(chǎn)基地

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中電??导瘓F(tuán)磁旋存儲芯片生產(chǎn)基地

磁旋存儲器(MRAM)是一種新型高端存儲器,特點(diǎn)包括納秒級讀寫速度、極高重寫次數(shù)、掉電數(shù)據(jù)不丟失、極好的抗輻射和抗惡劣環(huán)境能力、能耗低等。

工作內(nèi)容:暖通送風(fēng)系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)、冷凍水系統(tǒng),CDA系統(tǒng)、PCW系統(tǒng)、中溫水系統(tǒng)、PV系統(tǒng)、熱水系統(tǒng)。